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第一百八十九章:aoe伤害,最惨的米国(求订阅)

第一百八十九章:aoe伤害,最惨的米国(求订阅) (第1/2页)

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  下播后,韩元回到了居住室弄了些吃的犒劳了一下自己,丝毫不知道现实中已经逐渐开始乱套了。
  
  事实上,当他给碳化硅晶材使用‘电热-渗透法’注入铝离子的时候,硅晶材料和芯片这方面就已经开始乱套了。
  
  一种全新、稳定、能极少损坏碳化硅晶材中碳原子的离子注入法,引起了不少国家和研究这方面科学家的关注。
  
  在确认这种方式有效后,这一波造成的aoe伤害范围可不小。
  
  包括华国在内,还有米国、岛国、风车国等有能力制造离子注入机和离子源的国家都开始有些急了。
  
  华国其实还好,虽然国内有凯世通和中科信两家离子注入机行业的龙头企业,算得上是是世界领先。
  
  但领先的是光伏离子注入机方面,离子渗透在光伏这方面目前还没展示出应用。
  
  真正惨的是米国和岛国。
  
  离子渗透法在应用方面从理论上来说可以代替米国ic离子注入机,尽管做不到全部。
  
  但伤害性真不小。
  
  要知道在这种方式没面世前,米国拥有近乎垄断ic离子注入机市场的应用材料。
  
  凡事涉及到芯片制造、高科技合金镀层的,都得从他手里买。
  
  ‘电热-离子渗透法’这一枚炸弹丢下,至少在铝离子方面的离子注入,已经和他们无关了。
  
  如果说真的能将‘电热-离子渗透法’应用起来,哪怕是一部分的应用。
  
  那米国这一波损失的,恐怕是每年上十亿甚至几十亿米金的市场。
  
  而更关键的,还是今天的直播。
  
  碳化硅晶体管的成功制备,让这研究方面的科学家看到了碳化硅晶材在芯片上的应用。
  
  如果能成功的话,那撬动的可能就不是几十亿米金的市场了,而是百亿、千亿级别。
  
  毕竟碳化硅半导体比单晶硅在性能方面要优异很多。
  
  如果能用碳化硅晶材取代单晶硅作为基底的话,在芯片性能方面绝对能提升不少。
  
  所以在韩元今天的直播结束后,准确的说是碳化硅晶体管放大电流的检测成功后,各国就已经乱了。
  
  找人的找人,研究的研究。
  
  米国甚至开始向华国进行施压,逼迫华国交这个不存在的主播,理由是这名主播盗取并透露了他们最新的科技研究。
  
  .......
  
  模拟空间内,美美的饱餐一顿后,韩元例常将今天的资料记录了下来。
  
  第一颗碳化硅晶体管的成功面世,虽然仅仅是微弱的第一步,但让他对成功制造出晶体管计算机的信心大增。
  
  如果将晶体管计算机比作笔记本电脑,那么晶体管就相当于cpu。
  
  其重要性无可替代。
  
  所以韩元选择第一个研究的就是晶体管,有了运算的核心,才能保障计算器的制造。
  
  一觉醒来,韩元接着制造碳化硅晶体管和对晶体管进行各种检测。
  
  电压检测、达林顿管检测、极限参数检测等各种测试全部做完的时候,二级任务的时间已经过去了二十多天。
  
  这个过程,并没有想象中的那么顺利。
  
  尽管碳化硅晶材很优秀,但他制造晶体管的工艺和设备实在太简陋。
  
  

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